G5S6506Z
Global Power Technology-GPT
Deutsch
Artikelnummer: | G5S6506Z |
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Hersteller / Marke: | SemiQ |
Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $5.54 |
10+ | $4.976 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 6 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 650 V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | 8-DFN (4.9x5.75) |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Cut Tape (CT) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Strom - Richt (Io) | 30.5A |
Kapazität @ Vr, F | 395pF @ 0V, 1MHz |
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 24V
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 30A 3-P
RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 12V
DIODE SIC 1.2KV 24.6A TO220F
RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 18V
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247AC
OMRON RO
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 2-P
G5SB-1-DC5
RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 5V
RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 48V
RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 12V
DIODE SIC 1.2KV 63.5A TO220AC
RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 9V
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() G5S6506ZGlobal Power Technology-GPT |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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